Loading presentation...

Present Remotely

Send the link below via email or IM

Copy

Present to your audience

Start remote presentation

  • Invited audience members will follow you as you navigate and present
  • People invited to a presentation do not need a Prezi account
  • This link expires 10 minutes after you close the presentation
  • A maximum of 30 users can follow your presentation
  • Learn more about this feature in our knowledge base article

Do you really want to delete this prezi?

Neither you, nor the coeditors you shared it with will be able to recover it again.

DeleteCancel

Make your likes visible on Facebook?

Connect your Facebook account to Prezi and let your likes appear on your timeline.
You can change this under Settings & Account at any time.

No, thanks

Técnicas de fabricacion de semiconductores

No description
by

Felix Ramos Gutierrez

on 19 August 2014

Comments (0)

Please log in to add your comment.

Report abuse

Transcript of Técnicas de fabricacion de semiconductores

End
Un poco de historia
Etapas para fabricar un semiconductor
1 Obtencion y purificación de silicio

2 Fabricación de obleas de silicio

3 Litografia y grabado

4 Impurificación
Obtencion del silicio
El silicio es un elemento primario de un semiconductor

Se obtiene de la arena
Técnicas de fabricación de semiconductores
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
La Historia de los semiconductores inicia con el desarrollo del radar antes de la segunda guerra mundial (1939-1945)

Gracias a esta invención se identificaron el Germanio y al Silicio como elementos semiconductores útiles para la construcción de los diodos que llevaban los radares.



Nota:Este es una tecnica de texas instruments
Etapas de la fabricación
1. Purificación del substrato (Fabricación de obleas)
2.- Oxidación
3.- Litografía y Grabado
4.- Impurificación

Purificación del
substrato

El primer paso en la fabricación de un dispositivo semiconductor es obtener materiales semiconductores, como germanio y silicio, del nivel de impurezas deseado. Los niveles de impurezas de menos de una parte en mil millones (1 en 1.000.000.000) se requiere para la mayor parte de la fabricación de semiconductores de hoy día.
Materiales Semiconductores
La materia prima se somete primero a una serie de reacciones químicas y a un proceso de refinación de zona para formar un cristal poli cristalino del nivel deseado de pureza. Los átomos del cristal poli cristalino se acomodan al azar, mientras que en el cristal deseado los átomos se acomodan en forma simétrica, uniforme, con estructura geométrica en enrejado.

Silicio

Es el segundo elemento más abundante en la corteza terrestre (27,7 % en peso) después del oxígeno,
es un elemento químico de tipo metaloide que se presenta en forma amorfa y cristalizada

La operación final antes de que la fabricación del semiconductor se lleve a cabo es la formación de un solo cristal de germanio o silicio
Germanio

químico, metálico, gris plata, quebradizo, símbolo Ge, número atómico 32, peso atómico 72.59

Las propiedades del germanio son tales que este elemento tiene varias aplicaciones importantes, especialmente en la industria de los semiconductores. El primer dispositivo de estado sólido, el transistor, fue hecho de germanio.

Selenio

El selenio es un elmento químico de aspecto gris metálico y pertenece al grupo de los no metales. El número atómico del selenio es 34. El símbolo químico del selenio es Se.


En 1947, J. Bardeen y W. Brattain inventaron el transistor en Bell Telephone Laboratories

En 1958 el Ingeniero Jack St. Clair Kilby desarrollo el primer circuito integrado, justo unos cuantos meses después de haber sido contratado por la empresa Texas Instruments

En 1947, J. Bardeen y W. Brattain inventaron el transistor en Bell Telephone Laboratories.

En 1958 el Ingeniero Jack St. Clair Kilby desarrollo el primer circuito integrado, justo unos cuantos meses después de haber sido contratado por la empresa Texas Instruments.
IMPURIFICACIÓN
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante.

Semiconductores
Fabricación de SemiconductoresDopado
Añadir impurezas químicas voluntariamente para obtener distintos comportamientos eléctricos

Semiconductores tipo P y Tipo N

Métodos utilizados

Difusión
Implantación iónica

Dopado - Difusión
Tipo N
Posee átomos de impurezas que permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos.
Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones.
Suelen ser de valencia cinco, como el Arsénico y el Fósforo.
Finalmente, existirán más electrones que huecos, por lo que los primeros serán los portadores mayoritarios y los últimos los minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios será función directa de la cantidad de átomos de impurezas introducidos.

Tipo P
Material que tiene átomos de impurezas trivalentes que permiten la formación de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los átomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrón. Suelen ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio.
Full transcript