Loading presentation...

Present Remotely

Send the link below via email or IM

Copy

Present to your audience

Start remote presentation

  • Invited audience members will follow you as you navigate and present
  • People invited to a presentation do not need a Prezi account
  • This link expires 10 minutes after you close the presentation
  • A maximum of 30 users can follow your presentation
  • Learn more about this feature in our knowledge base article

Do you really want to delete this prezi?

Neither you, nor the coeditors you shared it with will be able to recover it again.

DeleteCancel

Make your likes visible on Facebook?

Connect your Facebook account to Prezi and let your likes appear on your timeline.
You can change this under Settings & Account at any time.

No, thanks

Технология производства кремниевого микродатчика

No description
by

Anton Antonov

on 3 October 2016

Comments (0)

Please log in to add your comment.

Report abuse

Transcript of Технология производства кремниевого микродатчика

Технология изготовления кремниегового микродатчика давления
Формирование p+ проводящих дорожек к будущим пьезорезисторам легированием бором
Создание электрического n+ контакта к эпитаксиальному слою для электрохимической остановки травления при формировании диафрагмы
Диффузия бора для формирования пьезорезисторов
Осаждение нитрида кремния из паровой фазы на обратную сторону пластины для создания маски под травление мембраны
Получение окон для межслойного соединения в пленке оксида кремния
Создание межслойного перехода и топологии первого слоя металлизации посредством вакуумного напыления алюминия и последующего его травления
54,74°
Контакт к эпитаксиальному слою
Вскрытие окон в Si3N4 плазменным травлением и анизотропное травление кремния щелочным раствором (напр. KOH) с отстановкой на эпитаксиальном слое
(на контакт к эпитаксиальному слою подается потенциал, останавливающий процесс)
Full transcript