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Transistores de efecto campo

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by

Laudy Jimenez Tejeda

on 3 April 2014

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Transcript of Transistores de efecto campo

(FET,MOSFET)
Transistor de efecto campo. PARTES
Su estructura consta de un semiconductor, con dos contactos en sus extremos, uno de ellos denominado
fuente
y el otro
drenador
. El tercer electrodo, denominado
puerta
(G).
Polarización
 1) Polarización FIJA
2) Autopolarización
3) Polarización Divisor de tensión

FET
Los transistores de efecto de campo o FET, se denominan así porque durante su funcionamiento la señal de entrada crea un campo eléctrico que controla el paso de la corriente a través del dispositivo. Estos presentan una impedancia de entrada elevada y consume poca potencia.

características
Estable a la temperatura
Disminuido tamano
Genera menos ruido que BJT
Impedancia de entrada elevada.
(resistencias altas)
Consumo de poca potencia.
Son unipolares
Son controlados por el VOLTAJE



Transistores de efecto campo
MOSFET
Este se caracteriza por tener tres terminales y tres capas y es unos de los mas utilizados en la electrónica.
Básicamente consiste en una estructura MOS en la cual el electrodo metálico superior, G, depositado sobre la capa aislante actúa como terminal del puerta del transistor. Los términos decremental incremental solo definen su modo de operar.Sus principales ventajas son su
densidad de integración y un proceso de fabricación relativamente simple.


MOSFET de empobrecimiento
Estos tienen un gran campo de aplicación como amplificadores de señales débiles en altas frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada.
Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede aislar totalmente la estructura de la puerta de la del canal. Con esta disposición se consigue eliminar prácticamente la corriente de fuga que aparecía en dicho terminal en los transistores JFET. Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento como de enriquecimiento.
MOSFET de enriquecimiento
Tienen una mayor aplicación en circuitos digitales y sobre todo en la construcción de circuitos integrados, debido a su pequeño consumo y al reducido espacio que ocupan.La tensión positiva del graduador provoca un aumento o enriquecimiento de electrones libres o portadores en el canal, de tal forma que, al aumentar la tensión positiva VGG, aumenta también la corriente de drenador.
Protección de los MOSFET
Tanto los MOSFET de empobrecimiento como los de enriquecimiento, poseen una capa extremadamente delgada de aislante que separa la puerta del canal. Esta capa se destruye con suma facilidad si se aplica una tensión VGS por encima de la máxima soportable.
dicha capa aislante es tan delicada que puede destruirse por otras causas, como pueden ser las sobre tensiones provocadas al insertar o retirar un MOSFET del circuito sin haber desconectado la fuente de alimentación.
polarización FIJA
AutoPolarización
Polarizacion por divisor de tension


USOS DE FET
•Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)

•Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)

•Conmutación, actuando de
interruptores (control de relés, fuentes
de alimentación conmutadas,
control de lámparas)


USOS DE MOSFET
Circuitos digitales y sobre todo en la construcción de circuitos integrados.
Circuitos de conmutación de potencia.
Conmutador.
ZONAS DE FUNCIONAMIENTO DE FET
Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensión VGS.
Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET,
amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.

Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.
Ecuación de SHOCKLEY
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