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Presentación Unidad II "Memoria ROM"

Presentación Hecha Por El Grupo 5IM3 Equipo No.5
by

Mauro Alberto Pérez Inacua

on 6 October 2014

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Transcript of Presentación Unidad II "Memoria ROM"

Almacena los datos que se programan en la ROM.
Cada registro contiene celdas de memoria que equivalen al tamaño de palabra.
Los registros se ordenan en un arreglo de matriz cuadrada.
Cada registro cuenta con su dirección.


Sincronización de la ROM
Instituto Politécnico Nacional
Memorias de solo lectura

Alumnos:
Briones López Juan
Campos Aguirre Victor Emmanuel
Monroy Ramírez Pamela
Pérez Inacua Mauro Alberto
Soto Morales Mauro Aaron
Grupo:
5IM3
"ELECTRONICA DIGITAL"
Arquitectura De La ROM

Tipos De Memoria ROM
Memoria Flash
Presentación Unidad II "Memoria ROM"
CECyT 9 "Juan De Dios Bátiz"
MROM
ROM programada por mascara

ROMs programables
PROM

ROMs Programables
EPROM


ROMs Programable Y Borrable
EEPROM


Semiconductora.
Retiene datos de forma permanente.
En operación normal no pueden escribirse datos.
Al proceso de introducir datos se le llama: programación o quemado de la ROM.
Almacenamiento de programas.
Los programas no se pierden cuando se desconecta la energía.
Presentes en cajas registradoras, electrodomésticos y sistemas de seguridad.

Diagrama de bloques

Los datos se almacenan en binario.


Para poder leer una palabra de datos de datos de la ROM se necesita:
Aplicar las entradas de dirección apropiadas.
Activar las entradas de control.

Operación de lectura

ROM de 16x8

Arreglo de registros

Partes de la gráfica
El código de dirección es el que determina que registro se habilitará.
Los bits de dirección se alimentan de dos decodificadores 1 de 4.

Decodificadores de dirección

Conectado directamente del bus de datos.
Se habilitará siempre y cuando CS permanezca en Bajo.

Búferes de salida

Tiempos de trabajo
Validación de datos
Tiempos de habilitación
Aplicaciones de la Memoria ROM
Objetivo
Fabricar una memoria no volátil con la capacidad de la EEPROM de borrarse mediante la electricidad y dentro del circuito, pero con densidades y costos mucho más cercanos a los de las EPROMS al tiempo que se mantuviera el acceso de lectura de alta velocidad de ambas memorias.
Estructura
La celda de una memoria flash es parecida a la celda simple de un solo transistor de la EPROM y distinta a la más compleja de dos transistores EEPROM, sólo que es un poco más grande. Tiene una capa de óxido más delgada en la compuerta que permite la capacidad de borrarse por electricidad, puede construirse con densidades mayores a las EEPROM. Su costo es mucho menor a las EEPROM.
El CI DE MEMORIA FLASH CMOS 28F256A

INSTRUCCIÓN LEER: al escribir un código de 00 hexadecimal en el registro de instrucciones se prepara CI de memoria para la operación de lectura. Despues de esto puede usarse un ciclo normal de lectura para acceder a los datos almacenados en cualquier dirección

INSTRUCCIÓN ESTABLECER-BORRAR/BORRAR: debe escribirse el código de 20 hexadecimal en el registro de instrucciones dos veces en una fila para comenzar la secuencia interna de borrado.

INSTRUCCIÓN VERIFICAR BORRADO: esta instrucción (FF hexadecimal) hace que el CI de memoria compruebe todas sus ubicaciones de memoria para verificar que todos los bits estén en ALTO.

ESTABLECER PROGRAMAR/PROGRAMAS: (40 hexadecimal) coloca el CI de memoria en un modo que permite que los ciclos de escritura subsiguientes almacenen datos en una dirección especificada, un byte a la vez.

PROGRAMAR/VERIFICAR: (C0 hexadecimal) verifica que se hayan almacenado los datos correctos en la ROM flash. Después de escribir este código ene le registro de instrucciones la siguiente operación de lectura producirá el contenido de la última ubicación en la que se escribió, y estos datos pueden compararse con el valor deseado.

Memoria de microcontrolador embebido
Estructura PROM
Transferencia de datos y portabilidad
Memoria de arranque
Tablas de datos
Aplicaciones de la Memoria ROM
Convertidor de datos
Generador de funciones
Almacenamiento auxiliar
GRACIAS POR SU ATENCIÓN
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