Loading presentation...

Present Remotely

Send the link below via email or IM

Copy

Present to your audience

Start remote presentation

  • Invited audience members will follow you as you navigate and present
  • People invited to a presentation do not need a Prezi account
  • This link expires 10 minutes after you close the presentation
  • A maximum of 30 users can follow your presentation
  • Learn more about this feature in our knowledge base article

Do you really want to delete this prezi?

Neither you, nor the coeditors you shared it with will be able to recover it again.

DeleteCancel

Make your likes visible on Facebook?

Connect your Facebook account to Prezi and let your likes appear on your timeline.
You can change this under Settings & Account at any time.

No, thanks

Функциональная электроника: лекции 1-2 (Коровченко)

На основном слайде изображен процесс роста кристалла полупроводника, предложенный Чохральским
by

Igor Korovchenko

on 9 April 2015

Comments (0)

Please log in to add your comment.

Report abuse

Transcript of Функциональная электроника: лекции 1-2 (Коровченко)

Функциональная
электроника

Детекторы, осуществляющие считывание информации
Динамические неоднородности
Континуальные среды
Генераторы динамических неоднородностей
Устройства управления динамическими неоднородностями
Разделы функциональной электроники
Акустоэлектроника
Чем отличается от
обычной
электроники?

Оптоэлектроника
Магнитоэлектроника
Магнитооптика
Акустооптика
Диэлектрическая
электроника
Криоэлектроника
Хемоэлектроника
Молекулярная
электроника
Функциональная
полупроводниковая
электроника
Лекции 1-3: Предмет функциональной электроники, функциональная полупроводниковая электроника
Локальные области на поверхности или в объеме континуальной среды с отличными от ее окружения характеристиками, не имеющие внутри себя статических неоднородностей и способные тем или иным способом передавать или хранить информацию
Первые работы в этой области принадлежат Борисову Б. С., Валиеву К. А., Васенкову А. А., Гуляеву Ю. В., Ерофееву А. А., Лаврищеву В. П., Новикову В. В., Носову Ю. Р., Попкову А. Ф., Пустовойту В. И., Ракитину В. В., Сретенскому В. Н., Стафееву В. И., Федотову Я. А. и другим отечественным ученым.
В акустоэлектронных устройствах используются динамические неоднородности в виде поверхностной акустической волны (ПАВ)

В полупроводниковых приборах с зарядовой связью — зарядовые пакеты электронов или дырок

В приборах магнитоэлектроники — магнитостатические волны (МСВ)
ФПЭ
Динамические
неоднородности
ФПЭ
Домены Ганна
Токовые шнуры
Приборы с зарядовой связью
Другие динамические неоднородности
Эффекты, связанные с изменением кристаллической структуры вещества. Влияние фазовых переходов в твердых телах на их электрические свойства
Бистабильность стационарных состояний в полупроводниках, оптическая бистабильность
Колебания в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными неустойчивостями.
Геликоны, плазмоны, фононы, поляроны, флуктуоны, экситоны и пр.
Квантовые размерные эффекты
Свойства квантовых точек из разных материалов. Сверху: Диапазоны флуоресценции нанокристаллов, изготовленных из разных материалов. Снизу: CdSe квантовые точки разных размеров покрывают весь видимый диапазон 460–660 нм. Снизу справа: Схема стабилизированной квантовой точки, где «ядро» покрыто оболочкой из полупроводника и защитным слоем полимера
Нобелевская премия по физике за 2009 год
"За изобретение полупроводниковой схемы для регистрации изображений — ПЗС-сенсора"
Уиллард Бойл
Джордж Элвуд Смит
1 — фотоны света, прошедшие через объектив фотоаппарата;
2 — микролинза субпикселя;
3 — R — красный светофильтр субпикселя, фрагмент фильтра Байера;
4 — прозрачный электрод из поликристаллического кремния или сплава индия и оксида олова;
5 — оксид кремния;
6 — кремниевый канал n-типа: зона генерации носителей — зона внутреннего фотоэффекта;
7 — зона потенциальной ямы (карман n-типа), где собираются электроны из зоны генерации носителей заряда;
8 — кремниевая подложка p-типа
1. Щука А. А. Функциональная электроника : Учеб.для вузов по спец. "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы" / А. А. Щука. — М., 1998. — 259 с.
2. Щука А. А. Электроника : учебное пособие для студ. вузов, обуч. по направлению 654100 - Электроника и микроэлектроника / А. А. Щука; под ред. А. С. Сигова. — СПб. : БХВ-Петербург, 2005. — 799 с.
3. Щука А. А. Наноэлектроника : учебное пособие для студ. вузов, обуч. по направлению подгот. "Приклад. математика и физика" / А. А. Щука ; МФТИ; под общ. ред. Ю.В. Гуляева. — М. : Физматкнига, 2007. — 463 с.
4. Кравченко А. Ф. Физические основы функциональной электроники : Учеб. пособие для студ. вузов, обуч. по группе спец. "Электрон. техника, радиотехника и связь" / А. Ф. Кравченко; Отв. ред. И. Г. Неизвестный. — Новосибирск : Изд-во Новосиб. ун-та, 2000. — 442 с.
5. Щука А. А. Электроника четвертого поколения — функциональная электроника? [Электронный ресурс] : http://chipnews.gaw.ru/html.cgi/arhiv_i/99_04/stat-51.htm
6. Как изготавливаются процессоры Intel: история в картинках [Электронный ресурс] : http://www.thg.ru/cpu/cpu_proizvodstvo/onepage.html
1. Левинштейн М. Е. Эффект Ганна / М. Е. Левинштейн, Ю. К. Пожела, М. С. Шур ; Под ред. С.М. Рывкина. — М. : Советское радио, 1975. — 286 с.
2. Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна / АН СССР. Сибирское отд. АН СССР. — Новосибирск, 1974. — 511 с.
3. Шур М. С. Эффект Ганна / М. С. Шур. — Л. : Энергия, 1971. — 78 с.
4. Царапкин Д. П. Генераторы СВЧ на диодах Ганна / Д. П. Царапкин. — М. : Радио и связь, 1982. — 112 с.
5. Костылев С. А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках / С. А. Костылев, В. А. Шкут ; Днепропетровское отделение ин-та механики. — Киев : Наукова думка, 1978. — 202 с.
6. Панфилов И. П. Приборы СВЧ и оптического диапазонов : Учеб.пособие / И. П. Панфилов. — М. : Радио и связь, 1993. — 200с.
7. Носов Ю. Р. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью / Ю. Р. Носов, В. А. Шилин ; [редкол.: В.М. Пролейко (отв. ред.) и др.]. — М. : Советское радио, 1976. — 139 с.
8. Пресс Ф. П. Фоточувствительные приборы с зарядовой связью / Ф. П. Пресс. — М. : Радио и связь, 1991. — 261 с.
9. Приборы с зарядовой связью / [В. Д. Бейкер и др.] ; под ред. Д. Ф. Барба; пер. с англ. В. А. Гергеля, В. В. Ракитина; под ред. Р. А. Суриса. — М. : Мир, 1972. — 240 с.
10. Приборы с зарядовой связью / пер. с англ. под ред. М. Хоувза и Д. Моргана. — М. : Энергоиздат, 1981. — 372 с.
Дополнительная литература
Основная литература
Жорес Иванович Алферов
Герберт Кремер
Нобелевская премия по физике 2000 года
http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%AD%D1%84%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%8F
"За исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта"
Нобелевская премия по физике в 1956 г.
Влияние электрического поля на объемную и поверхностную электропроводимость полупроводников
Уильям Брэдфорд Шокли
Уолтер Хаузер Браттейн
Джон Бардин
http://sfedu.ru/www/umr.umr_download?p_umr_id=22916
http://sfedu.ru/www/umr.umr_download?p_umr_id=22914
http://sfedu.ru/www/rsu$persons$.show_umr?p_per_id=867&p_prm_id=5362
http://www.femto.com.ua/articles/part_2/2611.html
Автоколебания и хаос.
Электрически управляемые резисторы
Приборы на основе эффекта Ганна
Генераторы
Усилители: классификация
Усилители: основные типы
Full transcript