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Copy of Fotodiodo

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by

jonatan alejandre

on 17 March 2016

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Transcript of Copy of Fotodiodo

Definicion del fotodiodo
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Se polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.
Amplificador para fotodiodo
diagramas
Fotodiodo
fisica de semicondutores
Jonatan Alejandre Campos
Diagrama electronico
Diagrama Fisico
Funcionamiento
Al penetrar luz o radiación infrarroja en launión PN, su energía constituye electroneslibres y huecos. Estos generan la corriente através de la unión PN. Esto significa, quecuanto mayor es la cantidad de luz queincide en el fotodiodo, tanto más intensa esla corriente que fluye a través del fotodiodo.Este fenómeno recibe el nombre de efectofotoeléctrico interno.
curva caracteristca
Fabricación del fotodiodo

creador del fotodiodo
Fotodiodo Inventado por el ingeniero japonés Jun-ichi Nishizawa en el año 1950 , quien baso sus estudios en previas investigaciones
polarizacion inversa del fotodiodo
FOTODIODO
Aplicaciones

Medición de luz
Fotometría
Espectrometría
Control de láseres


Recepción o lectura de datos
Control remoto y comunicación IR
Lectores de código de barras
Lectores de CD y DVD
Buses ópticos
Redes locales
Comunicación a larga distancia

Sensores
Proximidad
Composiciones
Detección remota
Interferométricos
En guía de onda
Polarizacion directa
FIN... GRACIAS
El primer paso consiste en el crecimiento de una gruesa capa de óxido que servirá para proteger las zonas que no se deseen difundir Esta oxidación se realiza a una temperatura de 1060ºC y con un tiempo de oxidación de 4 horas.



El segundo paso es necesario un doble depósito de resina, ya que hay que proteger la cara trasera del ataque al óxido que se llevará a cabo en el siguiente paso. El depósito de la cara trasera se realizará con resina gruesa (7 µm), mientras que el de la frontal se hará con fina (1.2 µm), puesto que en este paso interesa disponer de una alta resolución en la litografía.



Tercer paso Se elimina el óxido de las regiones en las que se emplazarán los emisores de los fotodiodos, mediante la inmersión de la oblea en fluoruro de amonio



Cuarto paso A continuación se elimina el óxido crecido en el primer paso, ya que ha finalizado su cometido (delimitar los pozos n, protegiendo el resto de la oblea de la difusión)
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