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GTO

TIRISTOR
by

JESSICA MORENO

on 7 December 2013

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Transcript of GTO

Un tiristor es uno de los tipos mas importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Un tiristor es un
dispositivo
semiconductor de 4 capas de estructura PNPN con 3 terminales: Anodo
Catodo y Compuerta TIRISTOR Un Tiristor GTO Es un dispositivo de electrónica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G). GTO Gate Turn-Off Thyristor FABRICACION TECNICA DIFUSION-ALEACION Técnica de Difusión-Aleación: La parte principal del tiristor está compuesta por un disco de silicio de material tipo N, 2 uniones se obtienen en una operación de difusión con galio, el cual dopa con impurezas tipo P las 2 caras del disco. En la cara exterior se forma una unión, con un contacto oro-antimonio. Los contactos del ánodo y cátodo se realizan con molibdeno.
La conexión de puerta se fija a la capa intermedia (tipo P) usando aluminio FUNCIONAMIENTO Su característica principal es su capacidad de entrar en conducción y bloquearse a través de señales adecuadas en el terminal de puerta G. Polarizacion Directa.Cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y cátodo. Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se mueven hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo atraídos por el potencial del ánodo, dando inicio a la corriente anódica. Si ésta corriente se mantiene por encima de la corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la señal de puerta para mantenerse en conducción
Polarización Inversa. Aplicada en la unión puerta-cátodo puede llevar a la abertura o bloqueo del GTO. Portadores libres (huecos) presentes en las capas centrales del dispositivo son atraídas por la puerta, haciendo que sea posible el restablecimiento de la barrera de potencial en la unión J2 Cuando un GTO esta en el estado de encendido, la región de la base central es ocupada con huecos suministrados del ánodo y electrones suministrados del cátodo. Si un voltaje inverso es aplicado al hacer la compuerta negativa con respecto al cátodo, parte de los huecos en la capa de la base p son extraídos a través de la compuerta, suprimiendo la inyección de electrones del cátodo. En respuesta a esta supresión, más corriente de hueco es extraída a través de la compuerta, fomentando la supresión de inyección de electrones. En el curso de este proceso, la unión emisor (J3) es puesta completamente en un estado de polarización inversa, el GTO es apagado. CURVA CARACTERISTICA Si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor pasará del estado “OFF” al estado “ON”. Por el contrario, si la corriente por la puerta es negativa, el semiconductor dejará de conducir, pasando del estado de “ON” a “OFF”.

Con ello se tiene un control total del estado del semiconductor en cualquier momento.

Evidentemente, este dispositivo es más caro que un SCR y además el rango de tensiones y corrientes es más pequeño que en el caso de los SCRs.

Tensión inversa de ruptura muy baja POLARIZACION (tiristor) la corriente sólo puede circular de ánodo a cátodo, pero no en sentido contrario APLICACIONES Como el GTO tiene una conducción de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, éste se aplica en circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. En la conversión de AC - DC, los GTO's, son útiles porque las estrategias de conmutación que posee, pueden ser usadas para regular la potencia. A nivel industrial algunos usos son:
Troceadores.
Control de motores.
Inversores.
Caldeo inductivo.
Rectificadores.
Soldadura al arco.
Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI).
Tracción eléctrica. COMPARACIONES BIBLIOGRAFIA http://tec.upc.es/el/TEMA-2%20EP%20(v1).pdf
http://ccpot.galeon.com/enlaces1737123.html
http://www.cenidet.edu.mx/subaca/webelec/tesis_mc/130MC_iab.pdf
http://www.ecured.cu/index.php/Tiristor_desactivado_por_compuerta_(GTO)
http://woody.us.es/~leopoldo/Store/tsp_7.pdf
http://enciclopediapotencia.net78.net/Unidad%202.php Aplicaciones de alta velocidad corriente de fuga Reduciendo la corriente de ánodo IA por medios externos la acción regenerativa interna
no es efectiva. Por medio de un pulso en el
Gate Método más recomendable Proporciona un
mejor control APAGAR 3-5v 20-30 V
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