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Grupo #2
Electrónica Análoga I
Integrantes:
Claudia Marcela Barrientos 201420010374
Keydi Josselin Sauceda 201510020218
Wilfredo López 201210011131
German Mejía 200810510040
Luis Chavez 201530010050
Wilmer López 200810510070
Ejercicio #1
Bosqueje la estructura atómica del cobre y explique por qué es un buen conductor y en qué forma su estructura es diferente de la del germanio, el silicio y el arseniuro de galio.
Ejercicio #1
El cobre es un buen conductor debido a que cuenta con 20 electrones en su órbita y un solo electrón en la capa externa.
Aplicando un campo eléctrico con su polaridad correcta puede conducir fácilmente.
Respuesta 1/2
En cambio el Silicio (Si) y Germanio (Ge) tienen capas exteriores completas debido al intercambio (covalente unión) de electrones entre átomos.
Electrones que son parte de una estructura de caparazón completa requieren mayores niveles de fuerzas atractivas aplicadas para ser eliminados de su átomo padre.
Respuesta 2/2
Ejercicio #4
¿Cuánta energía en Joules se requiere para mover una carga de 6 C a través de una diferencia de
Potencial de 3 V?
Ejercicio #4
Descripción
Sabemos que la Energía(Simbolizada por la W) es igual a la Carga(q) multiplicada por el Voltaje(V), en este caso:
Los datos son:
q=6C
V=3V
Solución
Solución
Por lo tanto:
W = QV = (6 C) (3 V) = 18 J
Ejercicio #7
Describa la diferencia entre materiales semiconductores tipo P y tipo N.
Ejercicio #7
Semiconductor tipo N
Un semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material
Semiconductor tipo N
Semiconductor tipo P
Un semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.
Semiconductor tipo P
Diferencia entre Semiconductores tipo P y tipo N
Conclusión
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.
Ejercicio #13
Describa con sus propias palabras las condiciones establecidas por condiciones de polarización en directa y en inversa en un diodo de unión P-N y cómo se ve afectada la corriente resultante.
Polarización Inversa
El terminal positivo conectado al material tipo N y el negativo conectado al tipo P.
Esta conexión se denomina Polarización Inversa, ya que el número de iones positivos en la zona de agotamiento del material tipo N se incrementara para la gran cantidad de electrones libres atraídos por el voltaje aplicado.
Polarización Inversa
Polarización Directa
La aplicación de un potencial de polarización en directa VD presionara a los electrónes en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se recambien con los iones próximos al límite y reducirá el ancho de la zona de agotamiento.
Polarización Directa
Ejercicio #22
Describa con sus propias palabras el significado de la palabra Ideal como se aplica a un dispositivo o a un sistema.
Ejercicio #22
Respuesta
La palabra ideal cuando se aplica a un sistema o dispositivo se refiere a que debe ser como en los datos teóricos se expresa ideal lo cual en la práctica este dispositivo ideal no genere inconveniente o un gasto extra como por ejemplo el diodo que no es ideal en el campo pero en lo teórico puede tomarse así.
Podemos tomar como ejemplo el Diodo:
En forma ideal, un diodo conducirá corriente en la dirección definida por la flecha en el símbolo y actuará como un circuito abierto para cualquier intento de establecer corriente en la dirección opuesta. En esencia.
Las características de un diodo ideal son las de un interruptor que puede conducir corriente en una sola dirección.