PECVD

FONTS

PECVD

(Plasma-enhanced chemical vapor deposition)

PECVD 조건

Plasma 생성

압력 : 0.1~5.0[Torr]

온도 : 200~500[℃]

무선 주파수 : 0.05~13.56[MHz]

일반적으로 PECVD로 증착되는 필름은 silicon nitride (SixNy), silicon dioxide (SiO2), silicon oxy-nitride (SiOxNy), silicon carbide (SiC), 그리고 비결정성(amorphous silicon, α-Si)입니다.

전자가 강한 전기장에서 에너지를 얻어 중성입자와 충돌하여 전자를 이탈시켜 자유전자와 양이온을 만드는 이온화 과정

CVD와 PECVD

CVD

열, 전계, 빛 등의 외부 에너지를 사용하여 원료가스를 분해시켜 화학적 기상반응으로 기판상에 박막을 형성시키는 기술

PECVD

일반적인 화학 증착(CVD)보다 온도를 낮추어 기판 위에 여러 가지 thin film재료를 증착시키는 공정

PECVD 증착원리

PECVD의 장,단점

장점

• 저온공정 (<300℃) 가능
• 빠른 증착 속도
• 우수한 스텝 커버리지
• 낮은 필홀 밀도
• 접찾도와 단자 피복성 우수

단점

• 낮은 성장온도로 인해 순수물질의 증착난이
• 화학류(H2,N2,O2)와 partical 오염
• 생성되는 막과 플라즈마와의 강한 상호작용
• 불균일한 증착특성