Introducing
Your new presentation assistant.
Refine, enhance, and tailor your content, source relevant images, and edit visuals quicker than ever before.
Trending searches
NPN電晶體結構接合
1.BE二端加上逆向偏壓
2.BC二端加上逆向偏壓
NPN電晶體
1.BE二端加上順向偏壓
2.BC 二端加上逆向偏壓
NPN電晶體結構接合
1.BE二端加上順向偏壓
2.BC二端加上順向偏壓
為了簡化分析,我們通常作以下兩個假定:
1.電晶體B極與E極端電壓約為0.7V
2.電晶體C極與E極端電壓約為0.2V
forward active
saturation
cut off
BJT 的基本結構是兩個反向連結的pn 接面,如圖2 所示,可有pnp 和npn兩種組合。三個接出來的端點依序稱為射極(emitter, E)、基極(base, B)和集極(collector, C),名稱來源和他們在電晶體操作時的功能有關。圖中也顯示出npn 與pnp 電晶體的電路符號,射極特別被標出,箭號所指的極為n 型半導體,和二極體的符號一致。在沒接外加偏壓時,兩個pn 接面都會形成空乏區,將中
性的p 型區和n 型區隔開。
電晶體種類很多,依工作原理可粗分為雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor, BJT) 和場效電晶體(field effect transistor, FET),前者是利用兩個很接近的pn接面,電訊號控制其中一個接面的注入載體,另一個接面收集載體,而載體形成的電流遠比控制訊號的電流大,故有所謂的電流增益( current gain);後者則是控制訊號造成載體通道附近電場改變,使通道特性發生變化,導致電流改變。在早期的固態電子電路發展是以BJT 為主,在現代的電腦中的積體電路則是以FET 為主要元件。