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vmosfet

expxosicion
by

lizbeth bonilla

on 13 December 2012

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Transcript of vmosfet

V-MOSFET TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR VERTICAL


V-MOSFET DIFERENCIAS ENTRE TECNOLOGÍA CMOS Y MOSFET
UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO
FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS,
ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL
 
Electrónica y comunicaciones
Electrónica de potencia
 
Semestre:
SEXTO “E”
integrantes:

Luis bedón
Jairo bermeo
Lizbeth Bonilla
Daniel Castro
Profesor:
Ing. Trujillo Danilo
 
Tema: V-mosfet y ujt V-MOSFET [2] Controlados
Tiempos
Tienen un Vds
Problemas
Costo alto
Corriente
Velocidad
Fue desarrollado
Coeficiente de temperatura CARACTERISTICAS [3] Donde:
VT es la tensión umbral
K es el llamado parámetro de transconductancia
Valores típicos de estos parámetros son: VT =1 V, K = 0,3 mA. Puntos de operación de un VMOSFET CURVA CARACTERISTICA DEL VMOSFET [4] Zona óhmica o de no Saturación. Zona de saturación o de corriente constante [5]
Aplicaciones prácticas de lo que hoy día conocemos como física cuántica y el llamado efecto túnel de los electrones. CIRCUITOS DE APLICACIÓN Cargador de baterías 12V automático CONVERSOR MONO A ESTÉREO AMPLIFICADOR DE AUDIO 100W F.E.T TRANSISTOR UJT Las aplicaciones mas importantes en las que operan un mosfet son:

Conmutadores
Amplificadores
Resistencias controlada por tensión Aplicaciones de los V-Mosfets Funciona de manera análoga a los transistores BJT
Soportan hasta 4 A en su región de saturación
Soportan altas frecuencias Conmutadores Circuito básico de Conmutación ¨Esto se lo puede hacer cuando el mosfet opera en su zona de linealidad, basta que la tensión del drenado sea lo suficientemente pequeña para despreciarla..¨ [5] Como resistencia controlada por tensión También llamado transistor monounión, uniunión.

Este es un dispositivo de conmutación.

Este dispositivo puede provocar grandes tiristores con un pulso en la base 1.[6] Transistor ujt Es un dispositivo semiconductor, funciona como dispositivo de disparo.

Esta constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos

La resistencia entre las dos bases, RBB (de 5 a 10KΩ estando el emisor abierto). [6] Características del UJT
Cuando el diodo no conduce, la caída de tensión en RB1 (V1) se puede expresar como:







Donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y η es el factor de división de tensión. [7] Circuito equivalente El funcionamiento del UJT se basa en el control de la resistencia RB1B2 mediante la tensión aplicada al emisor.

Si el emisor no esta conectado o VE< VP diodo polarizado inversamente => no conduce IE=0 Funcionamiento de un UJT Si VE≥VP => diodo polarizado directamente conduce y aumenta IE.
Cuando IP<IE<IV =>estamos en una zona de resistencia negativa donde RBB varia en función de IE. Funcionamiento de un UJT Se puede apreciar que a medida que aumenta el VE, aumenta la IE hasta un punto máximo IP.

Mas allá del punto máximo, la corriente aumenta a medida que disminuye la tensión en la región de resistencia negativa.

[8] Curva característica Región de corte. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP.

Región de resistencia negativa: En esta región, la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).
 
Región de saturación: Tiene una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor.[8]
REGIONES Sus características lo hace muy útil en muchos circuitos industriales:

Ejemplos:

Temporizadores
Osciladores
Generadores de ondas
También en circuitos de control de puerta para SCR y TRIACs. [9] El ujt en la industria Funcionamiento de un oscilador de relajación con un UJT

Circuito que sirve para generar señales para dispositivos de control de potencia como Tiristores o TRIACs

El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor UJT, cuando esto sucede se descarga a través de la unión E-B1

El capacitor se descarga hasta que llega a Vv de aproximadamente 2.5V. [9] Aplicaciones del UJT Con este voltaje el UJT se apaga(deja de funcionar) y el capacitor inicia su carga otra vez.









Si se desea variar la frecuencia de oscilación se puede modificar tanto el capacitor C como el resistor R1,R2 Y R3 también son importantes para encontrar la frecuencia de oscilación.
[10] Bibliografía:

Sistemas Digitales Principios Y Aplicaciones - Ronald Tocci.

http://www.ecured.cu/index.php/Compuertas_CMOS_o_MOS_Complementarias.

http://materias.fi.uba.ar/6625/Clases/Clase9.pdf

4.Electrónica de Potencia: circuitos, Dispositivos y Aplicaciones Por Muhammad H. Rasid, Muhammad H. 

5.Electrónica: Teoría de circuitos Por Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky Linkografía

[6]http://www.angelfire.com/electronic2/electronicaanalogica/ujt.html

[7]http://electronika2.tripod.com/info_files/ujt.htm

[8] http://www.eleccircuit.com/high-volt-mini-amplifier-with-ujt-transistor/

[9]http://www.slideshare.net/pintoyin/el-transistor-ujt

[10]http://www.tpub.com/neets/book7/26h.htm
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